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半導體凈化車間設計

發(fā)布時間:2022-06-18
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       半導體凈化車間設計的設計范圍包括:裝修方案(圍護、地面防水保溫處理),暖通方案(空調設備、風管、水管等),特氣供應方案(特氣柜含保險控制、房間氣體監(jiān)測、EP級管道及BA級管道、供氣管路尾氣處理),壓縮空氣方案,廢氣處理方案(儀器設備POU處理、房間排風廢氣處理),電氣方案(空調設備動力配電等),弱電工程,集成控制智能平臺,純水方案(冷卻水、去離子水、超純水、水管等),廢水處理等等,下面合景凈化工程公司就車間設計方案解析如下(非標準,下文僅供參考)。

半導體凈化車間

合景凈化工程公司實拍案例

一、結構圍護工程

       墻板及吊頂:本工程隔墻采用企口型機制玻鎂巖棉夾芯板0.426,玻鎂巖棉彩鋼板符合潔凈廠房二級消防要求,玻鎂巖棉彩鋼夾芯板具有1000℃的耐火性能,耐火等級達到A級。巖棉密度:≥1000kg/m3;導熱系數(shù):≤0.046w/m.k;燃燒性能:A級(不燃)。耐火極限為30~120分鐘。廣泛應用于食品、電子、醫(yī)藥、飲料、生物研究等行業(yè)。
       地板:車間內采用防靜電型PVC地板,其中千級和百級車間采用防靜電型架高鋼板,其它為普通型PVC地板。PVC地板是當今世界上非常流行的一種新型輕體地面裝飾材料,也稱為“輕體地材”使用非常廣泛,比如家庭、醫(yī)院、學校、辦公樓、工廠、公共場所、超市、商業(yè)等各種場所。

二、暖通工程
       設備:空調制冷負荷:經統(tǒng)計計算,總冷負荷約500KW。采用恒溫恒濕潔凈空調,夏季采用磁懸浮水冷機組,冬季采用廠區(qū)鍋爐熱水供熱。
       風管:風管采用共板法蘭風管。
       水管:空調水管采用無縫鋼管。水泵采用星-三角降壓啟動。

半導體凈化車間

合景凈化工程BIM技術場景

三、特種氣體工程

       工藝氣體種類多,純度高,并且易燃易爆有毒。安全問題突出,為保證系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定可靠,建議采用進口成熟產品。
因為 MOCVD 生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質,并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質材料,因此在MOCVD 系統(tǒng)的設計思想上,通常要考慮系統(tǒng)密封性要好,流量、溫度控制要精確,組分變換要迅速,系統(tǒng)要緊湊等。核心工作是氣體輸運系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。

四、空壓氣體工程
       螺桿式空壓機組主要主要有以下系統(tǒng)組成:空氣流程系統(tǒng)、潤滑油流程系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、安全保護系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及電氣線路。螺桿式空壓機組主要有壓縮機、電動機、空氣濾清器、進氣閥、油氣桶、空氣冷卻器、潤滑油冷卻器壓力開關、單向閥、儲氣罐、壓力表、自動排水器、安全閥等設備部件。另外在空壓機系統(tǒng)中大多配置冷干機和空氣干燥器。

五、廢氣工程
       由于半導體工藝對操作室清潔度要求極高,通常使用風機抽取工藝過程中揮發(fā)的各類廢氣,因此半導體行業(yè)廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發(fā)為主。表中給出了不同生產工藝排放的廢氣組成。這些廢氣排放主要可以分為四類:酸性氣體、堿性氣體、有機廢氣和有毒氣體。



半導體凈化車間

生產廢氣排放源及組成表

       廢氣來源組成外延工序SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、AsH3、B2H6、PH3、HCl、H2清洗工序H2SO4、H2O2、HNO3、HCl、HF、H3PO4、NH4F、NH4OH 等光刻工序異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、Cl2、BCl3、C2F6、C3F8、CF4、SF6、HF、HCl、NO、C3H8、HBr、H2S 等化學機械拋光NH4OH、NH4Cl、NH3、KOH、有機酸鹽化學氣相沉淀SiH4、SiH2Cl2、SiCl4、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NF3、HCl、HF、NH3擴散、離子注入BF3、AsH3、PH3、H2、SiH4、SiH2Cl2、BBr3、BCl3、B2H6金屬化工序SiH4、BCl3、AlCl3、TiCl4、WF6、TiF4、SiF4、AlF3、BF3、SF6等對酸性氣體、堿性氣體的處理一般都采用濕式洗滌塔技術。

       對于有機廢氣采用吸附、焚燒或兩者相結合的處理方法。因為半導體工藝過程中有機廢氣具有排放流量大(通常大于11039 m3/小時)和濃度低(通常小于25ppmv)的特點,使用其它的處理技術難以達到令人滿意的處理效率。沸石濃縮轉輪后再吸附或焚燒。

六、廢氣工程
       由于半導體工藝對操作室清潔度要求極高,通常使用風機抽取工藝過程中會發(fā)的各類廢氣,因此半導體行業(yè)廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發(fā)為主。表中給出了不同生產工藝排放的廢氣組成。這些廢氣排放主要可以分       為四類:酸性氣體、堿性氣體、有機廢氣和有毒氣體。
       對酸性氣體、堿性氣體的處理一般都采用濕式洗滌塔技術。
       對于有機廢氣采用吸附、焚燒或兩者相結合的處理辦法。因為半導體工藝過程中有機廢氣具有排放流量大(通常大于11039m3/小時)和濃度低(通常小于25ppmv)的特點,使用其他的處理技術難以達到令人滿意的處理效率。沸石濃縮轉輪后再吸附或焚燒。

七、電氣工程
       空調動力電工程:統(tǒng)計總用電量約830KW,空調用電約330KW。
       動力(鍍鋅線槽)沿墻體及天花敷設,再分至車間及設備電箱,安裝在樓板下。主電纜采用YJV型號。

八、弱電系統(tǒng)工程
       1、高清視頻監(jiān)控系統(tǒng)空調動力電工程:統(tǒng)計總用電量約830KW,空調用電約330KW。
       2、動力(鍍鋅線槽)沿墻體及天花敷設,再分至車間及設備電箱,安裝在樓板下。主電纜采用YJV型號。

九、智能平臺
       潔凈系統(tǒng)中的風量控制采用文丘里閥門,實時監(jiān)控流量及狀態(tài),可在線診斷。并可以維持房間壓力、溫度、濕度的平穩(wěn)可靠。中控室中把空調、特氣、純水、監(jiān)控、房間溫濕度等參數(shù)集成管理、顯示、儲存,并對數(shù)據(jù)進行打印輸出及溯源查找。并經設備輸出在參觀通道播放,方便參觀。

十、純水工程
       1、設備產水能力
       2、RO系統(tǒng):一級RO反滲透產水量≥8m3/h(水溫保證在25℃時);二級RO反滲透產水量≥6m3/h(水溫保證在25℃時)
       3、EDI系統(tǒng):EDI產水量≥5m3/h(水溫在25℃時)
       4、終端拋光混床產水能力為:≥5m3/H(水溫保證在25℃時)
       5、設備產水水質指標
       終端拋光混床產水水質為:≥18.0MΩ.cm(水溫保證在25℃時,測點在拋光混床出口3米內,95%時間)
其它技術指標參照我國的電子級水的技術指標(GB11446.1-1977)EW-1

半導體凈化車間

       由于設備用水的級別各不相同,可以在本設計流程中的某段引出合適的使用點即可。對于超純水必須采用UPVC材質(因金屬管道會析出離子),特別對于圓晶的生產,超純水會對額定的離子限值嚴格,所以采用進口的UPVC純水管道對產品質量有保證。


十一、廢水處理工程
       半導體制造及封裝測試的各個工藝步驟都有大量的廢水產生,主要以酸堿廢水、含氟廢水、有機廢水為主。
⑴酸堿廢水
       對于酸堿廢水處理前的pH值一般在3-11范圍內,時間間歇性強。在排放水體或進行生物處理或化學處理之前,必須進行中和,使廢水pH值達到6.5~8.5。但對于工業(yè)廢水中酸堿物質濃度高達3%~5%的廢水,應首先考慮其回收。
⑵含氟廢水
       含氟廢水的治理技術主要為化學沉淀法,即投加化學藥品形成氟化物沉淀或氟化物被吸附于所形成的沉淀物中而共沉淀,然后分離固體沉淀物即可除去氟化物。
⑶有機廢水
       依靠物理法、化學法很難處理有機廢水,通常采用生化法處理。
⑷金屬廢水
       金屬廢水的處理主要用化學沉淀法,廢水中含有危害性很大的一些重金屬和某些類金屬(如砷)。